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NTGD4169F
5
Q T
16
14
10
4
3
2
Q GS
V DS
Q GD
V GS
12
10
8
6
1.0
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
1
I D = 2.0 A
T J = 25 ° C
V DS = 15 V
4
2
0
0
1
2
3
4
0
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
40
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 8. Diode Forward Voltage versus
Current
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
I D = 250 m A
30
20
10
0.4
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 9. Threshold Voltage
SINGLE PULSE TIME (s)
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
100
V GS = ? 10 V
Single Pulse
10
T A = 25 ° C
100 m s
1
1 ms
10 ms
0.1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
dc
0.01
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
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